We develop oxide-based devices utilizing functional oxide materials and high-mobility transport channels at their interfaces, in which the control of oxygen atoms plays a vital role. These interfacial channels are promising for high efficient spin-to-charge conversion, high-speed transistors, and flexible electronic devices.
We exploring the growth and novel physics of new topological materials, including topological Dirac and Weyl semimetals, topological insulators, and their heterostructures.
We aim to integrate “Superconductivity” and “Ferromagnetism” onto a single semiconductor platform, by developing heterostructures of s-wave superconductors (SC) and Fe-doped ferromagnetic semiconductors (FMS).
We aim to utilize the spin degrees of freedom in artificially synthesized materials, with the main spotlight shed on ferromagnetic semiconductors (FMSs).
我々が世界最高品質のa-スズ (a-Sn) 薄膜をIII-V族 半導体InSb基板 (001) 上に結晶成長させることに成功 し、a-Sn薄膜の様々なトポロジカル物性を初めて明ら かにしました。
非磁性半導体InAs/強磁性半導体(Ga, Fe) Sb二層ヘテ ロ接合において、巨大磁気近接効果および新しい近接 磁気抵抗効果を発見しました。さらに、ゲート電圧を 印加して磁気近接効果を制御することで非磁性層の電 子状態に大きなスピン分裂を発現できた。 強磁性半導体を用いた次世代スピントロニクス・デ バイスや量子情報処理にも使える可能性を示しました。 本論文がNature Physics誌に出版されました。
低温分子線エピタキシー結晶成長法を用いてInAs 単結晶中にFe-As正四面体結合を1原子層の厚さの平面内 に閉じ込め、FeAs/InAs超格子構造を初めて作製できた。 超格子構造全体の強磁性秩序が強く、電気抵抗が外部磁 場によって500%も変化する巨大磁気抵抗効果を初めて 観測しました。 本成果に関する論文がNature Communications誌に 出版されました。
2022年度-2023年度(2年間)において、UTEC-Utokyo FSI から2000万円の研究費を得て下記のプロジェクトを推進します。
研究プロジェクト: 超伝導体/強磁性半導体からなるヘテロ接合の形成と量子デバイス
貴重なご支援、ありがとうございます! 本研究で是非次世代の量子情報基盤技術を築いていきたい。
Professor Le Duc Anh received the Young Investigator MBE Award, at the International Conference on Molecular Beam Epitaxy, ICMBE 2022
A new phenomenon found in hidden edge channels of a mainstream semiconductor spurs fundamental interests and challenges.
