非磁性半導体/強磁性半導体ヘテロ接合における 新しい電子伝導現象を発見
非磁性半導体InAs/強磁性半導体(Ga, Fe) Sb二層ヘテ ロ接合において、巨大磁気近接効果および新しい近接 磁気抵抗効果を発見しました。さらに、ゲート電圧を 印加して磁気近接効果を制御することで非磁性層の電 子状態に大きなスピン分裂を発現できた。 強磁性半導体を用いた次世代スピントロニクス・デ バイスや量子情報処理にも使える可能性を示しました。 本論文がNature Physics誌に出版されました。
K. Takiguchi*, L. D. Anh*, T. Chiba, T. Koyama, D. Chiba, M. Tanaka, InAs = 非磁性 伝導層 GaFeSb = 絶縁的 強磁性体 Vg ゲート 絕経酸化膜 電流 波動 関数 波動関数の浸み出し “Giant gate-controlled proximity magnetoresistance in semiconductor-based ferromagnetic-non-magnetic bilayers”. Nature Physics 15, 1134 (2019). (*: equal contribution)
