磁性元素を一原子層に配列した最先端成長法を駆使して 強磁性超格子構造の作製に成功し、500%も巨大磁気抵抗を実現。
低温分子線エピタキシー結晶成長法を用いてInAs 単結晶中にFe-As正四面体結合を1原子層の厚さの平面内 に閉じ込め、FeAs/InAs超格子構造を初めて作製できた。 超格子構造全体の強磁性秩序が強く、電気抵抗が外部磁 場によって500%も変化する巨大磁気抵抗効果を初めて 観測しました。 本成果に関する論文がNature Communications誌に 出版されました。
L. D. Anh, T. Hayakawa, Y. Nakagawa, H. Shinya, T. Fukushima. H. Katayama-Yoshida, Y. Iwasa, and M. Tanaka. “Ferromagnetism and giant magnetoresistance in zinc-blende FeAs monolayers embedded in semiconductor structures”, Nature Communications 12,4201 (2021).
