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低温分子線エピタキシー結晶成長法を用いてInAs 単結晶中にFe-As正四面体結合を1原子層の厚さの平面内 に閉じ込め、FeAs/InAs超格子構造を初めて作製できた。 超格子構造全体の強磁性秩序が強く、電気抵抗が外部磁 場によって500%も変化する巨大磁気抵抗効果を初めて 観測しました。 本成果に関する論文がNature Communications誌に 出版されました。

2022年度-2023年度(2年間)において、UTEC-Utokyo FSI から2000万円の研究費を得て下記のプロジェクトを推進します。
研究プロジェクト: 超伝導体/強磁性半導体からなるヘテロ接合の形成と量子デバイス
貴重なご支援、ありがとうございます! 本研究で是非次世代の量子情報基盤技術を築いていきたい。

Professor Le Duc Anh received the Young Investigator MBE Award, at the International Conference on Molecular Beam Epitaxy, ICMBE 2022