トポロジカル量子エレクトロニクス研究室

Anh Lab

Where future materialises

アイン研へようこそ!

量子技術と物質科学の最前線で半導体の新未来を拓く

半世紀前から使われてきた半導体にはまだ未開拓の大きなポテンシャルが潜んでいます。かつて半導体材料では想像すらできなかった「強磁性」「超伝導」「トポロジー」などの様々な新物性が、原子レベルで制御する最先端の結晶成長とデバイス作製技術(Nano-science & Nano-technology)によって今や実現可能です。不揮発性、非相反性、無散逸、耐障害性など新機能を持たせることで、微細加工の限界、消費電力の急増、供給不足などさまざまな課題に直面しながらも世界的競争が続いている産業の心臓部である半導体を変革し、機能を格段に高め、環境にやさしい豊かな未来を拓くことができます。

 

  アイン研究室では、量子力学的効果が顕著に現れるナノスケールの半導体・強磁性体・超伝導体ハイブリッド構造のエピタキシャル成長を行い、「強磁性」「超伝導」「トポロジー」のall-in-one半導体プラットフォームを実現し、超低消費電力のエレクトロニクスと卓越した並列処理と安全性を持つ量子情報の基盤技術の開拓に力を入れて、世界をリードする研究を目指します。固体物理学、磁性、超伝導物性、トポロジカル物性、量子情報、半導体デバイスなど多くの分野を横断し、量子科学技術と物質科学の最前線に立って、好奇心に満ちた研究を楽しみつつ、エレクトロニクスの未来を切り拓きます。

 

  未知の世界に一歩踏み出したい!自分なりの新しい研究フロンティアを作り上げたい!という志を抱く学生諸君を心から歓迎いたします。研究に関する質問など気軽にお問い合わせください。

研究室リーダー

Le Duc Anh 准教授

東京大学工学系研究科電気系工学専攻

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低温分子線エピタキシー結晶成長法を用いてInAs 単結晶中にFe-As正四面体結合を1原子層の厚さの平面内 に閉じ込め、FeAs/InAs超格子構造を初めて作製できた。 超格子構造全体の強磁性秩序が強く、電気抵抗が外部磁 場によって500%も変化する巨大磁気抵抗効果を初めて 観測しました。 本成果に関する論文がNature Communications誌に 出版されました。

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