研究環境
研究環境
アイン研は同学科の田中研究室・大矢研究室と密接に連携し研究を推進します。
他に東京大学の低温科学研究センター、ナノテクノロジープラットフォームの共用施設を利用でき、世界最先端の研究を行う環境が整っています。
III-V族用分子線エピタキシー 結晶成長装置（EQ2100）
底面圧：1×10 ^ -10Torr
ソース：
III族元素：Ga、Al、In（Kセル）
ドーパント：Si、Be（Kセル）
遷移元素、磁性材料用：Mn、Fe
V族元素：As（バルブドクラッカーセル500 cc）
Sb（バルブ付きクラッカーセル420cc)
その場観察：反射高速電子線回折（RHEED）
※田中研究室との共同研究により使用。
Dirac材料用分子線 エピタキシー結晶成長装置（MBE508)
底面圧：1×10 ^ -10Torr
ソース：
III族元素：Ga、Al、In（Kセル）
ドーパント：Si、Be（Kセル）
遷移元素、磁性材料用：Mn、Fe
V族元素：As（バルブドクラッカーセル500 cc）
Sb（Kセル)
その場観察：反射高速電子線回折（RHEED）
※田中研究室との共同研究により使用。
金属材料用 低温分子線エピタキシー結晶成長装置（システムM）
底面圧：1×10 ^ -9Torr
基板は液体窒素を使用して冷却可能。
- MBEチャンバー（4ポート）：Fe、Al、Sn
- 電子ビーム蒸着チャンバー（3ポケット）：SiO2、Nb、EuS
シャドーマスクの成長に利用可能
磁気円二色性測定装置（MCD） JASCO J700
- 光検出器：GaAs、S1光電子増倍管（波長範囲0.2〜1.1μm）
- 磁場範囲：〜1.2T
- 温度範囲：4.5K〜室温
磁気電気伝導測定装置 （3システム)
- 磁界範囲：〜1T
- 温度範囲：3.5K〜室温
- モーター駆動の磁石回転システム
オックスフォード製超電導マグネット電気伝導測定装置
- 無冷媒式
- 磁界範囲：0〜12T
- 温度範囲：295mK〜室温
磁気特性測定システム（MPMS3)
（低温科学研究センターの一般利用装置）
磁界範囲：0〜7T
温度範囲：1.5K〜室温
電子スピン共鳴（ESR）システム
（東京大学ナノテクノロジープラットフォーム の一般利用装置）
Nano-device Fabrication Lab
(Common facility of Dept. of EEIS)
Takeda Super-cleanroom
(Common facility of Nanotechnology Platform, the University of Tokyo)
