低温分子線エピタキシー結晶成長法を用いてInAs 単結晶中にFe-As正四面体結合を1原子層の厚さの平面内 に閉じ込め、FeAs/InAs超格子構造を初めて作製できた。 超格子構造全体の強磁性秩序が強く、電気抵抗が外部磁 場によって500%も変化する巨大磁気抵抗効果を初めて 観測しました。 本成果に関する論文がNature Communications誌に 出版されました。
非磁性半導体InAs/強磁性半導体(Ga, Fe) Sb二層ヘテ ロ接合において、巨大磁気近接効果および新しい近接 磁気抵抗効果を発見しました。さらに、ゲート電圧を 印加して磁気近接効果を制御することで非磁性層の電 子状態に大きなスピン分裂を発現できた。 強磁性半導体を用いた次世代スピントロニクス・デ バイスや量子情報処理にも使える可能性を示しました。 本論文がNature Physics誌に出版されました。
我々が世界最高品質のa-スズ (a-Sn) 薄膜をIII-V族 半導体InSb基板 (001) 上に結晶成長させることに成功 し、a-Sn薄膜の様々なトポロジカル物性を初めて明ら かにしました。
2022年度-2023年度(2年間)において、UTEC-Utokyo FSI から2000万円の研究費を得て下記のプロジェクトを推進します。
研究プロジェクト: 超伝導体/強磁性半導体からなるヘテロ接合の形成と量子デバイス
貴重なご支援、ありがとうございます! 本研究で是非次世代の量子情報基盤技術を築いていきたい。
Professor Le Duc Anh received the Young Investigator MBE Award, at the International Conference on Molecular Beam Epitaxy, ICMBE 2022
