Le Duc Anh 1986年生まれ。出身地はベトナムのクアンビン省。 アイン氏は2006年に文部科学省の国費留学生として来日。スピントロニクスやトポロジカル量子エレクトロニクスへの応用に向けて、強磁性半導体、強相関酸化物、トポロジカル材料などの新しい機能材料に幅広い関心と経験を持っています。彼が博士課程の研究で開発に成功した新しいFeベース強磁性半導体は、III-V族半導体で初めて室温で強磁性を示した材料です。これらの研究成果は、半導体スピントロニクスの分野に大きな新展開をもたらしたのみならず、近年ではトポロジカル材料と物性への応用に展開されています。Nature Physics, Nature Communications, Physical Review Letters, Advanced Materialsなど、多数の質の高い学術論文を発表しています。日本科学振興会(JSPS)の特別研究員フェローシップ、第29回独創性を拓く先端技術大賞、東京大学卓越研究員、丸文研究奨励賞など多数の受賞があります。 職歴 2022-現在 准教授、 東京大学工学研究科電気系工学専攻工学部電気電子工学科 2020 - 2023 研究者、 科学技術振興機構 さきがけ研究「トポロジカル材料科学と革新的機能創出」 2016 - 2022 助教、 東京大学工学系研究科総合研究機構電気系工学専攻(兼担) 2019 - 2020 客員研究員、 マサチューセッツ工科大学(MIT)JS Mooderaグループ、Francis Bitter Magnet Laboratory、プラズマ核融合科学センター。 社会貢献活動 2019-現在 会長、顧問 日本ベトナム知識人協会 日本ベトナム知識人協会 2016-2022 共同創設者、副社長 日本のベトナム学術ネットワーク(VANJ) 2020-現在 共同創設者、代表理事 ベトナム日本オープンイノベーションネットワーク(VJOIN) Education 2004 - 2006 ハノイ工科大学(ベトナム) Department of Electronics and TelecommunicationsTalented Program K49 中退(MEXT奨学金で日本留学) 2006 - 2007 大阪外国語大学 日本語日本文化教育センター(CJLC) 国費留学生の予備コース 2007 - 2011 東京大学 教養学部 理科一類工学部 電気電子工学科 学士(工学) 2011 - 2013 東京大学 大学院工学系研究科電気系工学専攻 修士(工学) 2013- 2016 東京大学 大学院工学系研究科電気系工学専攻 博士(工学) 受賞など ベトナム数学オリンピック(VMO)、2004年:3位入賞。ハノイ工科大学、GPA 2/3700位(1年生、2005年)(MEXT奨学金に推薦され、その後授与される)。日本政府奨学金(文部科学省)学部留学生、2006年 – 2011年。日本政府奨学金(文部科学省)大学院留学生、2011年 – 2013年。日本学術振興会特別研究員(DC)、2013年 – 2016年。東京大学工学部長賞、2011年3月。東京大学工学部電気電子工学科 最優秀学士論文賞、2011年3月。東京大学工学系研究科長賞、2013年3月。東京大学工学部電気電子工学科 最優秀修士論文賞、2013年3月。応用物理学会スピントロニクス分科会 英語講演奨励賞、2014年9月。第37回応用物理学会春季学術講演会 講演奨励賞、2015年3月。東京大学博士課程教育リーディングプログラム「Secure Life Electronics」報告会 優秀発表賞、2015年7月。第29回独創性を拓く先端技術大賞「日本放送賞」、産経新聞社主催・文部科学省・経済産業省後援、2015年7月。東京大学工学部電気電子工学科 優秀博士論文賞、2016年3月。the 9th International Conference on Spin-related Phenomena in Solids(PASPS9)若手研究者優秀ポスター賞、2016年8月11日。東京大学低温科学研究センター第9回研究交流会最優秀発表賞、2018年2月27日。Young Investigator MBE Award, UK Sheffield, Sep 9th, 2022.2022年度東京大学卓越研究員。2023年度丸文研究奨励賞。