世界最高品質の単元素 トポロジカル・ディラック半金属を実現
我々が世界最高品質のa-スズ (a-Sn) 薄膜をIII-V族 半導体InSb基板 (001) 上に結晶成長させることに成功 し、a-Sn薄膜の様々なトポロジカル物性を初めて明ら かにしました。 a-Snは単純なダイヤモンド型結晶構造、主要な半導 体との良い整合性を持ち、かつ環境にやさしい単元素 材料であり、将来のトポロジカル物性と新機能量子デ バイス開発のための有望なプラットフォームとして大 きく期待される材料です。 本成果に関する論文がAdvanced Materials誌に出版 され、Frontispieceに選ばれて、表紙を飾りました。
L. D. Anh, K. Takase, T. Chiba, Y. Kota, K. Takiguchi, and M. Tanaka “Elemental Topological Dirac Semimetal a -Sn with High Quantum Mobility”, Advanced Materials 33, pp.2104645/1-9 (2021). https://doi.org/10.1002/adma.202104645
