ご卒業おめでとうございます！🎓
この3月、学部生6名と修士課程の学生3名が卒業を迎えました。
これからの新たな一歩が、実り多く素晴らしいものになりますよう心よりお祈りしています。
卒業式（2026年3月25日）
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3月 25, 2026
卒業式（2026年3月25日）
3月 4, 2026
レーザ光照射でトポロジカル半金属薄膜上に任意形状の超伝導ナノ構造を作製、無磁場で超伝導ダイオード効果を実証
2月 20, 2026
アイン基盤Sプロジェクト研究報告会を開催しました
9月 28, 2025
アイン准教授が代表する研究提案がNEXUSベトナム「半導体」に採択されました
9月 29, 2024
Giant Magnetoresistance Achieved in Atomically Precise Ferromagnetic Superlattice
低温分子線エピタキシー結晶成長法を用いてInAs 単結晶中にFe-As正四面体結合を1原子層の厚さの平面内 に閉じ込め、FeAs/InAs超格子構造を初めて作製できた。 超格子構造全体の強磁性秩序が強く、電気抵抗が外部磁 場によって500%も変化する巨大磁気抵抗効果を初めて 観測しました。 本成果に関する論文がNature Communications誌に 出版されました。
9月 29, 2024
Discovery of a New Electronic Conduction Phenomenon in Non-magnetic/Ferromagnetic Semiconductor Heterojunctions
非磁性半導体InAs/強磁性半導体(Ga, Fe) Sb二層ヘテ ロ接合において、巨大磁気近接効果および新しい近接 磁気抵抗効果を発見しました。さらに、ゲート電圧を 印加して磁気近接効果を制御することで非磁性層の電 子状態に大きなスピン分裂を発現できた。 強磁性半導体を用いた次世代スピントロニクス・デ バイスや量子情報処理にも使える可能性を示しました。 本論文がNature
