本研究は、東京大学とハノイ工科大学の研究チームが協力して進めるものであり、次世代の高性能・高信頼性デバイスの実現を目指しています。具体的には、窒化ガリウム（GaN）、β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）、チタン酸ストロンチウム（SrTiO₃）といった先端材料を開発し、それらを基盤とした高耐圧ダイオード、高電子移動度トランジスタ（HEMT）、さらにはスピントロニクスやフレキシブルデバイスなど、多様な高性能電子デバイスへの応用を展開します。また、両国チームの緊密な共同研究を通じて、次世代エレクトロニクス分野における材料革新を推進するとともに、若手人材の育成にも貢献することを目指しています。
本研究プロジェクトの一環として、東京大学の博士課程で以下の最先端研究テーマに挑戦してくれる、意欲あるベトナム人学生を募集しています！
- 高度MOSFET、低温CMOS、3D集積
- スピントロニクス材料・デバイス、メモリデバイス、ニューロモーフィックデバイス
- 二次元材料・デバイス
- バイオエレクトロニクス（ガスセンサーなど）
- パワー半導体
- 熱マネジメント、チップ冷却
- エネルギーハーベスティングデバイス
- フレキシブル（有機）エレクトロニクス
- シリコンフォトニクス、オプトエレクトロニクス
- VLSI設計
📩 興味のある方は、以下までご連絡ください： vietnam.utokyo@gmail.com
